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皇晶Acute NAND Flash (Parallel) 方案

更新时间:2023-04-24 06:14      点击次数:17 次

  NAND Flash是一种闪存。 NAND Flash容量大,改写速度快。主要用于存储大量数据。 NAND Flash常用于数位相机和MP3播放器等的存储装置。

  Features:

  1. 支援Data(I/O) pin:x8, x16

  2. 支援产品:TL4000, LA3000+, BusFinder (请参考各产品型号)

  3. 支援模式:逻辑分析仪模式, 协定分析仪模式(BusFinder Only)

  4. 支援多种厂牌:Hynix, Intel, Micron, Samsung, ST, Toshiba, Winbond, Macronix, Cypress(Spansion), ONFI, Dosilicon, ESMT, Zetta, GigaDevice, etc. (支援自定义资料)

  5. 支援 ONFI 4.1(NV-DDR3),Mode 8 / Toggle DDR 2.0 ~267MHz

  6. Timing Check 功能设定(仅限逻辑分析仪模式,可在Bus Decode中做设定)

  逻辑分析仪模式

  • 解码设定

NAND_Flash_Settings宇捷弘业皇晶
 

  • 触发设定

NAND Flash Settings 2

 

  • 软件画面

NAND Flash LA

 

  协定分析仪模式 (BusFinder NAND 方案)

  • NAND Flash 方案:

                                        BusFinder                                                        配件
NAND Flash BF                     Solution NAND

  

  • 功能说明

  1. 使用32Gb RAM搭配硬碟串流来储存NAND通讯资料,可完整节录待测物从使用32Gb RAM搭配硬碟串流来储存NAND通讯资料,可完整节录待测物从低速初始化到高速传输资料的流程

  2. 提供Data Filter功能,可将不必要的资料滤除以节省记忆体

  3. 提供Search 资料功能

  4. 提供Erase Count功能

  5. NAND命令统计功能,包含封包总数、各类 别指令数量统计

                                      Address                                          Command
NAND Flash Address Statistics                                     NAND Flash Command Statistics

 

  6. 软件画面:

NAND Flash PA Data

 

  • 设定

NAND Flash PA Settings

 

  1. 厂牌设定:

 

NAND Flash PA Settings 2

 

  2. Option 设定:

  a. 两组电压侦测功能

  b. Remove READ STATUS Command(Busy State)

  此功能开启后会将重复的Not Ready Polling 的 Read Status 移除,预设是开启的,不然会因此类 command 太多佔据 report 行数除了不好检视之外,主要塬因还是会因佔据行数太多而很快达到 report 上限 70M行。

  c. Set Row Addressing

NAND Flash PA Settings 4

 

  此功能主要是设定在将此功能主要是设定在将Row Address细分为Page Address, Word Line, PlaneAddress, Block Address, LUN Address … 之用。预设值会建立在 NAND Command Set table, 如下图红框处:

NAND Flash PA Settings 5

 

  此功能需开启后才会在此功能需开启后才会在Details显示Row Address Details , 预设是关闭的。因为客户的因为客户的NAND可能不会是我们List 提供的 , 所以该UI也提供让客户自行输入的功能 可以 新增/删除 上方Items 。

NAND Flash PA Settings 7

 

  • 自定义厂牌设定

  若没适当的型号可供选择 可选择若没适当的型号可供选择可选择Custom项目来自定义NAND Command Set。在软体的工作目录下已有放置範例,可以按下Edit键来编辑编辑完毕后按下Refresh即可刷新清单 最后选择欲使用的NAND Flash,按下OK即可。

NAND Flash PA Settings Custom 1
 
NAND Flash PA Settings Custom 2

 

  其中,Manufacturer, PartNo, #CE/RB, X16, SyncMode, StartupDDR, Param_tREA,Param_tDQS, Row_Addressing, Cmd 代表关键字 , 必须输入且不可修改

  说明如下:

         关键字         说明   
   Manufacturer    NAND Flash 厂商名称
   PartNo    NAND Flash IC型号
   #CE/RB    使用几组CE/RB, 仅可输入1/2/4
   X16    使用 8 或 16 资料通道,仅可输入 Y/N

 Y: 表示使用 16 通道

 N: 表示使用 8 通道

   SyncMode    仅可输入 Y/N

 Y: 支援同步模式

 N: 不支援同步模式

   StartupDDR    是否已进入DDR模式
   Param_tREA/Param_tDOS      设定DataOut读取的延迟时间
   Row_Addressing    Set Row Addressing 功能预设参数
   Cmd    Cmd内容由逗号隔开,分别说明如下:

  1. 完整指令名称

  2. 缩写指令名称

  3. 第一组Busy Time Check名称,若无则免填

  4. 第一组Busy Time Check数值,单位为us,若无则免填

  5. 第二组Busy Time Check名称,若无则免填

  6. 第二组Busy Time Check数值,单位为us,若无则免填

  7. 第一个Flag,该Flag代表该指令是否可作用在Busy状态中.

  8. 第二个Flag,该Flag代表该指令是否允许被某些特定指令插入

  9. 第叁个Flag,该Flag代表该指令是否允许插入某些多阶指令中

  10. 指令码,可填入1-4个指令码,以逗号做区隔

  

  e.g.

  Cmd=Read, Read, tr, 60, , N, N, N, 00, 30

  Cmd=Read Status, Read Stat., , , , , Y, N, Y, 70

  Cmd=Two-Plane Page Program, TPP Prog., tDBSY, 1, tPROG, 5000, N, Y, N, 80, 11, 81, 10

  Read Status / Two-Plane Page Program: 完整指令名称

  Read Stat. / TPP Prog. : 缩写指令名称,因为有些指令太长会在波形区无法完全显示,所以需要输入缩写指令名称

  Busy Time 检查 (tDBSY, 1, tPROG, 5000) 说明: 表示tDBSY为1us,tPROG为5000us,Busy Time若超过此数值,会在报告视窗中显示该资讯,若不填入此数值,即不检查Busy Time,此时请输入空白并加上逗号,至于tDBSY和tPROG字串名称并非固定,可以由使用者自行定义

  Flags: 以Cmd=Read Status、Read Stat., Y, N, Y, 70为例:

  第1个Flag为Y表示该指令可作用于Busy状态

  第2个Flag为N表示该指令不允许被某些特定指令插入

  第3个Flag为Y表示该指令允许插入某些多阶指令中,例如Read Status 70h 允许插入于Two-Plane Page Program 80h, 11h, 81h, 10h 的 11h和81h之间

  • Timing check 功能说明

  当需要使用该功能时请于自定义档案AqNFCustom.txt内容前段增加如下叙述,若不使用则无需填入。

NAND Flash Timing Check

  1. Spec=Toggle

  仅可填入ONFI或是Toggle。

  2. Version=2.0

  ONFI填入SDR/NV-DDR/NV-DDR2-3; Toggle填入Legacy/1.0/2.0。

  3. TimingCheck=Y

  仅可填入Y/N, Y 表示启用Timing Check 功能。

  若开启Timing Check功能, 请填入需要Timing Check 的项目, 其格式:

  项目名称, 时间最小值, 时间最大值

  时间数值单位是 ns, 而软体所提供之Timing Check 项目请依所设定的Spec/Version 选择填入下方附录所规定之项目名称, 这些都是按照ONFI与Toggle NAND Flash 所列之标準时间检查项目, 除此之外的项目名称都会被忽略。

  若某项目时间数值检查项目是不需要的时候, 请填入X, 若两个时间数值皆为X 时该项目也会被忽略。

  所列之时间数值在使用时可依实际NAND Flash规格进行调整。

NAND Flash Timing Check 2

 

  结果会显示在报告视窗的Information栏位,违反所设定时间范围的会以红色字体显示,正常的则会以黑色字体显示。

  显示资讯会包含:

  1. 时间测试项目

  2. 量测之时间

  3. 所设定的时间范围

NAND Flash Timing Check 3

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