NAND Flash是一种闪存。 NAND Flash容量大,改写速度快。主要用于存储大量数据。 NAND Flash常用于数位相机和MP3播放器等的存储装置。
Features:
1. 支援Data(I/O) pin:x8, x16
2. 支援产品:TL4000, LA3000+, BusFinder (请参考各产品型号)
3. 支援模式:逻辑分析仪模式, 协定分析仪模式(BusFinder Only)
4. 支援多种厂牌:Hynix, Intel, Micron, Samsung, ST, Toshiba, Winbond, Macronix, Cypress(Spansion), ONFI, Dosilicon, ESMT, Zetta, GigaDevice, etc. (支援自定义资料)
5. 支援 ONFI 4.1(NV-DDR3),Mode 8 / Toggle DDR 2.0 ~267MHz
6. Timing Check 功能设定(仅限逻辑分析仪模式,可在Bus Decode中做设定)
逻辑分析仪模式
• 解码设定

• 触发设定

• 软件画面

协定分析仪模式 (BusFinder NAND 方案)
• NAND Flash 方案:
BusFinder | 配件 |
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• 功能说明
1. 使用32Gb RAM搭配硬碟串流来储存NAND通讯资料,可完整节录待测物从使用32Gb RAM搭配硬碟串流来储存NAND通讯资料,可完整节录待测物从低速初始化到高速传输资料的流程
2. 提供Data Filter功能,可将不必要的资料滤除以节省记忆体
3. 提供Search 资料功能
4. 提供Erase Count功能
5. NAND命令统计功能,包含封包总数、各类 别指令数量统计
Address | Command |
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6. 软件画面:

• 设定

1. 厂牌设定:

2. Option 设定:
a. 两组电压侦测功能
b. Remove READ STATUS Command(Busy State)
此功能开启后会将重复的Not Ready Polling 的 Read Status 移除,预设是开启的,不然会因此类 command 太多佔据 report 行数除了不好检视之外,主要塬因还是会因佔据行数太多而很快达到 report 上限 70M行。
c. Set Row Addressing

此功能主要是设定在将此功能主要是设定在将Row Address细分为Page Address, Word Line, PlaneAddress, Block Address, LUN Address … 之用。预设值会建立在 NAND Command Set table, 如下图红框处:

此功能需开启后才会在此功能需开启后才会在Details显示Row Address Details , 预设是关闭的。因为客户的因为客户的NAND可能不会是我们List 提供的 , 所以该UI也提供让客户自行输入的功能 可以 新增/删除 上方Items 。

• 自定义厂牌设定
若没适当的型号可供选择 可选择若没适当的型号可供选择可选择Custom项目来自定义NAND Command Set。在软体的工作目录下已有放置範例,可以按下Edit键来编辑编辑完毕后按下Refresh即可刷新清单 最后选择欲使用的NAND Flash,按下OK即可。


其中,Manufacturer, PartNo, #CE/RB, X16, SyncMode, StartupDDR, Param_tREA,Param_tDQS, Row_Addressing, Cmd 代表关键字 , 必须输入且不可修改
说明如下:
关键字 | 说明 |
---|---|
Manufacturer | NAND Flash 厂商名称 |
PartNo | NAND Flash IC型号 |
#CE/RB | 使用几组CE/RB, 仅可输入1/2/4 |
X16 | 使用 8 或 16 资料通道,仅可输入 Y/N
Y: 表示使用 16 通道 N: 表示使用 8 通道 |
SyncMode | 仅可输入 Y/N
Y: 支援同步模式 N: 不支援同步模式 |
StartupDDR | 是否已进入DDR模式 |
Param_tREA/Param_tDOS | 设定DataOut读取的延迟时间 |
Row_Addressing | Set Row Addressing 功能预设参数 |
Cmd | Cmd内容由逗号隔开,分别说明如下:
1. 完整指令名称 2. 缩写指令名称 3. 第一组Busy Time Check名称,若无则免填 4. 第一组Busy Time Check数值,单位为us,若无则免填 5. 第二组Busy Time Check名称,若无则免填 6. 第二组Busy Time Check数值,单位为us,若无则免填 7. 第一个Flag,该Flag代表该指令是否可作用在Busy状态中. 8. 第二个Flag,该Flag代表该指令是否允许被某些特定指令插入 9. 第叁个Flag,该Flag代表该指令是否允许插入某些多阶指令中 10. 指令码,可填入1-4个指令码,以逗号做区隔 |
e.g.
Cmd=Read, Read, tr, 60, , N, N, N, 00, 30
Cmd=Read Status, Read Stat., , , , , Y, N, Y, 70
Cmd=Two-Plane Page Program, TPP Prog., tDBSY, 1, tPROG, 5000, N, Y, N, 80, 11, 81, 10
Read Status / Two-Plane Page Program: 完整指令名称
Read Stat. / TPP Prog. : 缩写指令名称,因为有些指令太长会在波形区无法完全显示,所以需要输入缩写指令名称
Busy Time 检查 (tDBSY, 1, tPROG, 5000) 说明: 表示tDBSY为1us,tPROG为5000us,Busy Time若超过此数值,会在报告视窗中显示该资讯,若不填入此数值,即不检查Busy Time,此时请输入空白并加上逗号,至于tDBSY和tPROG字串名称并非固定,可以由使用者自行定义
Flags: 以Cmd=Read Status、Read Stat., Y, N, Y, 70为例:
第1个Flag为Y表示该指令可作用于Busy状态
第2个Flag为N表示该指令不允许被某些特定指令插入
第3个Flag为Y表示该指令允许插入某些多阶指令中,例如Read Status 70h 允许插入于Two-Plane Page Program 80h, 11h, 81h, 10h 的 11h和81h之间
• Timing check 功能说明
当需要使用该功能时请于自定义档案AqNFCustom.txt内容前段增加如下叙述,若不使用则无需填入。

1. Spec=Toggle
仅可填入ONFI或是Toggle。
2. Version=2.0
ONFI填入SDR/NV-DDR/NV-DDR2-3; Toggle填入Legacy/1.0/2.0。
3. TimingCheck=Y
仅可填入Y/N, Y 表示启用Timing Check 功能。
若开启Timing Check功能, 请填入需要Timing Check 的项目, 其格式:
项目名称, 时间最小值, 时间最大值
时间数值单位是 ns, 而软体所提供之Timing Check 项目请依所设定的Spec/Version 选择填入下方附录所规定之项目名称, 这些都是按照ONFI与Toggle NAND Flash 所列之标準时间检查项目, 除此之外的项目名称都会被忽略。
若某项目时间数值检查项目是不需要的时候, 请填入X, 若两个时间数值皆为X 时该项目也会被忽略。
所列之时间数值在使用时可依实际NAND Flash规格进行调整。

结果会显示在报告视窗的Information栏位,违反所设定时间范围的会以红色字体显示,正常的则会以黑色字体显示。
显示资讯会包含:
1. 时间测试项目
2. 量测之时间
3. 所设定的时间范围
