光隔离探头MOIP系列

一、光隔离探头MOIP系列概述

　　基于独家 SigOFIT™ 技术的光隔离探头，拥有极高的共模抑制比和隔离电压，在其带宽范围内洞见信号的全部真相，是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。此外，SigOFIT光隔离探头采用先进的激光供电技术，完美解决了隔离供电的问题。

二、光隔离探头MOIP系列应用领域

　　对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时，SigOFIT光隔离探头可作为最终裁判依据。

　　● 电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除

　　● 电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计

　　● 氮化镓、碳化硅、IGBT半/全桥设备的设计与分析

　　● 高压高带宽测试应用的安全隔离测试

　　● 逆变器、UPS及开关电源的测试

　　● 宽电压、宽带测试应用

　　● 各种浮地测试

三、光隔离探头MOIP系列特点

　　● 最真实的信号呈现

　　SigOFIT 光隔离探头具有极高的共模抑制比， 在100MHz 时CMRR 高达128dB、在1GHz 时CMRR 仍然高达108dB，是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。

　　● 第三代半导体的最佳测试手段

　　第三代半导体器件由于导通与关断时间很短，信号具有更快的上升沿和下降沿，信号中具有很高能量的高频谐波，SigOFIT 光隔离探头在最高带宽时，仍然具有超100dB 的共模抑制比，可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡，所呈现的信号没有额外多余成分，是第三代半导体测试的不二之选。

　　● 极高的测试精度与稳定性

　　作为判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判，测试精度是SigOFIT 光隔离探头的重要指标。SigOFIT 光隔离探头，具有极佳的幅频特性，直流增益精度优于1%，底噪小于0.45mVrms，预热5min 后零点漂移小于0.1%，增益漂移小于1%。

　　● 测试氮化镓(GaN)不炸管

　　SigOFIT 光隔离探头测试引线短且采用同轴传输，探头输入电容小于2.5pF，测试氮化镓(GaN)十分安全

　　● 测试量程更宽

　　不同于高压差分探头只可以测试高压信号，SigOFIT 光隔离探头通过匹配不同的衰减器，可以测试±0.1V 至±5000V 的差模信号，并实现满量程输出，达到很高的信噪比。

　　● 使用灵活

　　SigOFIT 光隔离探头比传统高压差分探头体积更小，探头引线更精巧，使用更加灵活方便。

　　● 高效便捷

　　SigOFIT 光隔离探头响应快，上电即测，校准时间小于1 秒，可实时保证精确的信号输出。