
光隔离探头OIP系列
● 最真实的信号呈现
● 第三代半导体的最佳测试手段
● 极高的测试精度与稳定性
● 测试氮化镓(GaN)不炸管
● 测试量程更宽
● 使用灵活、高效便捷
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一、光隔离探头OIP系列概述
基于独家 SigOFIT™ 技术的光隔离探头,拥有极高的共模抑制比和隔离电压,在其带宽范围内洞见信号的全部真相,是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。
二、光隔离探头OIP系列应用领域
对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时,SigOFIT光隔离探头可作为最终裁判依据。
● 电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除
● 电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计
● 氮化镓、碳化硅、IGBT半/全桥设备的设计与分析
● 高压高带宽测试应用的安全隔离测试
● 逆变器、UPS及开关电源的测试
● 宽电压、宽带测试应用
● 各种浮地测试
三、光隔离探头OIP系列特点
● 最真实的信号呈现
SigOFIT 光隔离探头具有极高的共模抑制比, 在100MHz 时CMRR 高达112dB、在200MHz 时CMRR 仍然高达106dB,是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。

● 第三代半导体的最佳测试手段
第三代半导体器件由于导通与关断时间很短,信号具有更快的上升沿和下降沿,信号中具有很高能量的高频谐波,SigOFIT 光隔离探头在最高带宽时,仍然具有超100dB 的共模抑制比,可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡,所呈现的信号没有额外多余成分,是第三代半导体测试的不二之选。
● 极高的测试精度与稳定性
作为判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判,测试精度是SigOFIT 光隔离探头的重要指标。SigOFIT 光隔离探头,具有极佳的幅频特性,直流增益精度优于1%,全量程范围内最大1.41mVrms底噪,预热后零点漂移小于500μV。

● 测试氮化镓(GaN)不炸管
SigOFIT 光隔离探头测试引线短且采用同轴传输,探头输入电容小于3pF,测试氮化镓(GaN)十分安全
● 测试量程更宽
不同于高压差分探头只可以测试高压信号,SigOFIT 光隔离探头通过匹配不同的衰减器,可以测试±2.5V 至±2500V 的差模信号,并实现满量程输出,达到很高的信噪比。

● 使用灵活
SigOFIT 光隔离探头比传统高压差分探头体积更小,探头引线更精巧,使用更加灵活方便。
● 高效便捷
SigOFIT 光隔离探头响应快,上电即测,校准时间小于1 秒,可实时保证精确的信号输出。
光隔离探头OIP系列规格参数

光隔离探头OIP系列订购信息(欢迎来电详询137 5117 6688 微信同号,专业技术人员为您匹配最适合您需求的产品)
● MOIP100B:带宽100MHz,测试电压±2.5V~±2500V,共模电压60kVpk
● MOIP200B:带宽200MHz,测试电压±2.5V~±2500V,共模电压60kVpk